买卖IC网 >> 产品目录43242 >> SI3410DV-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 6-TSOP datasheet 分离式半导体产品
型号：

SI3410DV-T1-GE3

库存数量：2,635
制造商：Vishay Siliconix
描述：MOSFET N-CH D-S 30V 6-TSOP
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
SI3410DV-T1-GE3 PDF下载
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 19.5 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 33nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1295pF @ 15V
功率 - 最大 4.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装 6-TSOP
包装 剪切带 (CT)
其它名称 SI3410DV-T1-GE3CT
相关资料
属性
链接
代理商 SI3410DV-T1-GE3
SI3410DV-T1-QE3
SI3417DV-T1-GE3
SI3420DV-T1
SI3421DV-T1-GE3
SI3422DV-T1
供应商
公司名
电话
深圳市硅宇电子有限公司 13424293654 唐先生
集好芯城 0755-83289799 陈先生 13360533550
深圳市亿联芯电子科技有限公司 18138401919 吴经理
深圳市大源实业科技有限公司 15302619915 李女士
深圳市英科美电子有限公司 0755-23903058 张先生
广州双智信息科技有限公司 13434212521 张儒智
深圳市崧晔达科技有限公司 13926591096 苑小姐
深圳市顺芯诚电子有限公司 0755-28687142 黄小姐
北京首天伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
深圳市一线半导体有限公司 0755-88608801 谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
  • SI3410DV-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 1.104 1.104
    25 0.8568 21.42
    100 0.756 75.6
    250 0.6552 163.8
    500 0.5544 277.2
    1,000 0.441 441